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SiS426DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
70
56
42
2 8
14
V GS = 10 V thr u 4 V
V GS = 3 V
5
4
3
2
1
T C = 25 °C
T C = 125 °C
0
0
T C = - 55 °C
0.0
0.5 1.0 1.5 2.0
2.5
0
1 2 3
4
0.0060
0.0054
0.004 8
0.0042
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 4.5 V
2000
1600
1200
8 00
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
C oss
0.0036
0.0030
V GS = 10 V
400
0
C rss
0
14
2 8
42
56
70
0
4
8
12
16
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
I D = 10 A
V DS = 5 V
1.6
I D = 10 A
V GS = 10 V
6
V DS = 10 V
1.4
V DS = 15 V
1.2
V GS = 4.5 V
4
1.0
2
0
0. 8
0.6
0
6
12
1 8
24
30
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 68799
S12-0214-Rev. C, 30-Jan-12
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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